삼성, SK하이닉스 기술 공급처 킬로패스, VLT D램 설계 기술 공개

송고 2016.10.11 14:06 | 수정 2016.10.11 14:06
김나리 기자 (nari34@ebn.co.kr)

VLT 저전력, 제조비용 절감 및 성능개선 가능

찰리 쳉 킬로패스 대표가 11일 서울 강남구 삼성동 그랜드인터콘티넨탈 호텔에서 열린 '킬로패스 VLT DRAM 기술 발표회'에서 VLT에 대해 설명하고 있는 모습ⓒ킬로패스

킬로패스는 VLT 기술을 공개하고 향후 D램 시장의 판도를 바꿔 나갈 계획이라고 포부를 드러냈다.

킬로패스는 11일 서울 강남구 삼성동 그랜드인터콘티넨탈 호텔에서 ‘킬로패스 VLT DRAM 기술 발표회’를 개최했다.

킬로패스는 삼성, SK하이닉스, SMIC, UMC 및 기타 주요 반도체 제조업체에 OTP 안티퓨즈 특허 기술을 제공해온 미국 실리콘밸리 소재 반도체 지적자산(IP) 업체다.

찰리 쳉 킬로패스 대표는 킬로패스의 VLT 기술을 설명하기에 앞서 반도체 시장 전망에 대해서 언급했다.

그는 “전세계 D램 시장은 500억달러로 성장세를 보이고 있지만 스마트폰과 태블릿의 성장이 둔화되면서 스마트폰이 더이상 D램 시장의 성장엔진역할을 하고 있지 않다”고 문제점을 지적했다.

그는“앞으로 D램 시장을 견인하는 것은 서버 및 클라우드 컴퓨팅 시장의 수요”라고 설명했다

킬로패스가 이날 공개한 VLT는 래치를 형성하는 바이폴라 트랜지스터의 교차결합쌍과 전기적으로 대등한 복잡한 구조인 사이리스터 기술을 기반으로 한다.

VLT는 복잡하고 전력을 소비하는 리프레시 동작이 필요 없기 때문에 VLT 기반 DDR4 D램은 대기모드 전력소비를 10배 줄일 수 있다. 성능은 15%까지 높일 수 있다. VLT는 제조를 단순화해 기존 공정 장비와 소재, 플로우를 그대로 사용할 수 있도록 설계됐다.

쳉 킬로패스 대표는 “킬로패스가 이번에 D램 시장에 혁신적인 기술을 선보여서 기쁘다”며 “킬로패스의 VLT 기술은 진정한 게임 체인저로서 라이선스 고객들이 로드맵 진척을 가로막는 주요 걸림돌을 제거할 수 있는 새로운 D램 아키텍처로 나아갈 수 있게 해준다”고 말했다.

그는 “VLT는 공간 효율적이고 제조공정이 간단해 비용 절감과 전력 소비를 줄이며 성능은 높일 수 있다”고 설명했다.

VLT D램은 동일한 공정 기술로 제조할 경우 제조비용이 45%저렴하다.

쳉 대표는 “기존 대비 작은 비트셀을 사용하고 매크로 공정단계가 줄어들기 때문”이라고 제조비용이 낮은 이유에 대해 설명했다.

그는 “VLT는 경쟁이 치열한 D램 시장의 판도를 바꿀 수 있는 혁신적인 기술”이라고 VLT 기술에 대한 자신감을 드러냈다.

킬로패스의 VLT은 지난 2015년에 검증을 마쳤고 메모리 매크로 테스트 칩은 현재 테스트 초기 단계에 있다.

현재 킬로패스는 D램 제조회사들과 사업제휴 및 라이선스 논의를 진행 중이다.

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