SK하이닉스는 올해 하반기 낸드플래시 부분에서 3D낸드가 전체 비트 생산량이 2D 생산량을 넘어서는 '빅 크로스 오버'가 이뤄질 것으로 예상했다.
SK하이닉스 관계자는 25일 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "M14 클린룸 2층을 이용해 3D낸드 생산 캐파가 일부 확장되면 3D낸드 생산량을 2D를 크로스오버 할 것으로 예상한다"고 말했다.
이어 "D램의 경우 1X(18나노)나노 기술을 개발하고 하반기부터 양산에 돌입하면 연말에는 10% 수준의 비중을 차지할 것으로 예상한다"며 "1X급이 50% 이상 크로스오버할 시기는 빨라야 내년 말, 늦으면 내후년 상반기 정도가 될 것"이라고 예측했다.
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