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삼성전자 HBM3E에 젠슨 황 ‘승인’ 친필 사인

  • 송고 2024.03.21 15:46 | 수정 2024.03.21 15:47
  • EBN 김채린 기자 (zmf007@ebn.co.kr)

GTC 2024 마련 삼성전자 부스 찾아

HBM3E 파트너십 강화 기대감 ‘솔솔’

젠슨 황 엔비디아 CEO가 삼성 HBM3E에 남긴 사인.  [출처=한진만 삼성전자 부사장 SNS 캡처]

젠슨 황 엔비디아 CEO가 삼성 HBM3E에 남긴 사인. [출처=한진만 삼성전자 부사장 SNS 캡처]

젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 미국 새너제이에서 열리는 연례 개발자 콘퍼런스 ‘GTC 2024’에 마련된 삼성전자 부스를 찾아 차세대 고대역폭 메모리(HBM)인 HBM3E에 친필 사인을 남긴 사실이 드러나면서 삼성과 엔비디아의 파트너십 강화 기대감이 커지고 있다.


21일 업계에 따르면 한진만 삼성전자 DS부문 미주총괄(DSA) 총괄 부사장은 이날 자신의 사회관계망서비스(SNS)에 황 CEO가 삼성전자 부스를 방문해 부스에 있던 직원들과 함께 찍은 사진을 게시했다. 부스에 전시된 HBM3E 12H(High·12단 적층) 제품에 황 CEO가 ‘젠슨 승인(approved)’이라고 남긴 사인 사진도 함께 올렸다. 한 부사장은 “삼성의 HBM3E에 대한 황 CEO의 개인 승인 도장을 보게 돼 기쁘다”며 “삼성 반도체와 엔비디아의 다음 행보가 기대된다”고 말했다.


삼성전자는 이번에 업계 최초로 D램 칩을 12단까지 쌓은 5세대 HBM인 HBM3E 실물을 전시했다. 24기가비트(Gb) D램 칩을 실리콘 관통 전극(TSV) 기술로 12단까지 적층해 업계 최대인 36기가바이트(GB) 용량을 구현한 제품이다. HBM3E는 상반기 양산이 목표다.


앞서 황 CEO는 지난 19일(현지시간) 미디어 간담회에서 ‘삼성의 HBM을 사용하고 있나’라는 질문에 “아직 사용하고 있지 않지만, 현재 테스트하고(qualifying) 있고 기대가 크다”며 “HBM은 매우 복잡하고 어려운 기술로 기술적인 기적과도 같은데 (삼성전자와 SK하이닉스는) 겸손하다”고 밝혔다.



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