삼성전자, 'D램 기술' 격차 경쟁사와 1년 이상 벌려

송고 2016.10.29 16:02 | 수정 2016.10.29 23:51
서영욱 기자 (10sangja@ebn.co.kr)

D램익스체인지, 내년부터 D램 전량 20나노 이하 공정에서 생산

반도체 업계 가장 빠른 미세공정 전환 속도

ⓒ연합뉴스

삼성전자가 현재 반도체 업계에서 가장 빠른 미세공정 전환 속도를 보이고 있다.

29일 반도체 전자상거래사이트 D램익스체인지는 삼성전자가 내년 2분기부터는 모바일 D램 전량을 20나노 이하 공정에서 생산할 것으로 전망했다. 삼성전자는 모바일 D램 시장에서 업계 1위를 유지하고 있다.

모바일 D램은 스마트폰, 웨어러블 기기 등에 쓰이는 반도체 기억장치다. 배터리 의존도가 높아 저전력 특성이 요구된다. 공정 미세화가 진전될수록 전력 소모가 줄면서 웨이퍼 한 장에서 더 많은 제품을 생산할 수 있어 D램 제품 가격도 크게 올라간다.

D램익스체인지에 따르면 삼성전자는 4분기 현재 회로선폭 20나노(㎚) 이하가 82%, 18나노가 12%, 25나노가 6%를 차지하는 등 20나노 이하 공정으로 생산되는 제품이 전체의 94%를 차지하고 있다.

내년 2분기부터는 25나노 생산은 중단되고 20나노가 83%, 18나노가 17%를 각각 차지할 것으로 D램익스체인지는 분석했다.

또 D램익스체인지에 따르면 모바일 D램 점유율 2위인 SK하이닉스는 내년 말까지도 20나노 공정을 개시하지 못할 것으로 전망했다. 다만 20나노와 동급인 21나노 모바일 D램을 올해 2분기 말 양산하기 시작했다.

SK하이닉스 역시 내년 말이면 21나노 제품의 비중이 82%에 달할 것으로 내다봤다.

3위인 미국의 마이크론은 내년 말 20나노가 86%의 비중을 차지할 것으로 점쳤지만, 10나노급 공정을 확보하지는 못할 것으로 관측했다.

삼성전자가 최근 세계 최초로 10나노급 '8GB(기가바이트) LPDDR4 모바일 D램'을 고객사에 공급하기 시작하면서, 모바일 D램의 공정 미세화에서 경쟁사들과 1년 이상 기술 격차를 벌렸다는 것이 업계의 설명이다.

올 2분기 모바일 D램 시장의 업체별 점유율은 삼성전자가 61.5%, SK하이닉스가 25.1%, 마이크론이 11.4% 등이다.

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